Új hozzászólás Aktív témák

• #1059 #95904256 törölt tag VaniliásRönk #1052

  Új Válasz 2007-06-30 15:57:41 #1059

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  

  #95904256

  törölt tag

  válasz VaniliásRönk #1052 üzenetére

  A kisebb csíkszélességgel nem csak az jár együtt hogy ugyanakkora területen több tranzisztor található. Hanem pl. az is hogy ezek a tranzisztorok kisebb feszültségen üzemelnek. Például az első 8-12MHz-es 80286-osok még 5 voltról üzemeltek és közel 3 wattot disszipáltak el, pedig csak 134.000 tranzisztort tartalmaztak. Az akkori gyártástechnológia 1500 nm-es csíkszélesség volt, a die méret pedig 47 négyzetmiliméter. A mostani 1,1-1,3 voltos üzemi feszültség mellett ez a 134.000 tranzisztor csak 0,17 wattot disszipálna, vagy még kevesebbet, ugyanis a tranzisztorok más paraméterei is javultak.
  
  Na, de ahelyett hogy folytatnám rákerestem gyorsan az intel honlapján a 45nm-re...
  
  The 45nm Hi-k next generation Intel Core 2 and Intel Xeon processors have about 30 percent more transistors but are about 30 percent smaller in silicon area than Intel's current 65nm products and operate at the same or lower power than the current Intel Core 2 processors.
  
  Ugyan más oldalakon az intel csak 25%-os die csökkenésről számol be ugyanolyan tranzisztorszám mellett, de a lényeg akkor is ott van hogy same or lower power .
  
  [Szerkesztve]

Új hozzászólás Aktív témák