Új hozzászólás Aktív témák

• #16244 Lompos48 nagyúr moha21 #16241

  Új Válasz 2011-12-24 10:40:02 #16244

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Lompos48

  nagyúr

  válasz moha21 #16241 üzenetére

  Hidrogén atmoszférában (mint hordozógáz) szilánból (SiCl4) 1200 fokon szilícium monokristályt növeszt Si lapokra. A folyamatot epitaxiának hívják. Ebbe a rétegbe kerül aztán az IC integrált struktúrája. Egy pár kilós méter hosszú grafittálca ücsörög egy kvarc csőben, azon vannak a szeletek . Órákig tart és a hőmérsékletet 1 fokos határon belül kell tartani. Ezért olyan drágák a félvezető gyártősorok (többekközt).
  Ami érdekes, bár nem a folyamat része: az épület úgy van tervezve (rengeteg érzékelővel, biztonsági berendezéssel), hogy ha pukkan az egyik oldalfal száll el. Mert ugye hidrogén 1200 fokon, meg nem utolsó sorban a szilán, ami a levegővel érintkezve instant robban.

  Ez a folyamat. A trióda része egy ipari generátornak (volt egy német - Hüttinger meg egy japán - Kokusai), aminek a terhelése, de a rezgőkör része is egy olyan vízhűtéses tekercs, amiben az előbb mesélt konstrukció el van helyezve. Az magától értetődő, hogy a 20 kV-os kerámiakondenzátorok is mind vízhűtésesek voltak. Maga a generátor olyan 15 köbméter, aminek a fele táp. A "hálózati trafó" (jó tonnás) síneken volt betolható/kihúzható. Annak idején azon törtük a fejünket, hogy tudnánk a folyamat mellett egy kis kalózrádiót is beüzemelni a 150kHz-es frekvencián. Aztán megijedtünk és feladtuk.

Új hozzászólás Aktív témák