Új hozzászólás Aktív témák

• #9 Pingüino senior tag thunder6230 #6

  Új Válasz 2021-07-03 14:18:26 #9

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Pingüino

  senior tag

  válasz thunder6230 #6 üzenetére

  Nem jól feltételezed. A csíkszélességváltás egyértelműen hoz tranzisztorszám növekedést, de közel sem annyit, mint amennyi a számozásból feltételezhető.

• #8 kalimist aktív tag Abu85 #2

  Új Válasz 2021-07-03 12:47:51 #8

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  kalimist

  aktív tag

  válasz Abu85 #2 üzenetére

  Mondták ezt 2019-ben amikor a GAAFET-ről a következő slide-ot tette közzé a Samsung (itt a ph-n is lehoztátok):

  

  Majd 2021-ben egy "picit" módosították:

  

  forrás

  Mindkét esetben a Samsung meglehetősen gyenge 7nm-hez hasonlítják a GAAFET-et.

  2019-ben +35% teljesítmény / -50% energia / -45% terület előrelépést vizionáltak a 7nm-hez képest.
  2021-ben már csak +10% teljesítmény / -20% energia / -25% terület az előny a 7nm-hez viszonyítva.

  A Samsung is lassan felér az Intel mellé nagyotmondásban.

• #7 Z10N veterán Abu85 #2

  Új Válasz 2021-07-03 04:33:39 #7

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  

  Z10N

  veterán

  válasz Abu85 #2 üzenetére

  Arazasnal mire szamitsunk? Ket vese vagy egy is eleg lesz?

• #6 thunder6230 tag

  Új Válasz 2021-07-02 07:18:18 #6

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  thunder6230

  tag

  Kiv vok mi lesz majd sub 1nm kategóriában. Ami bizonyos h 2nm ->1nm az pont 2x annyi tranzisztort enged ami a kategoria legnagyobb ugrasa lesz ha jol feltetelezem.

• #5 ShiTmano aktív tag

  Új Válasz 2021-07-01 22:48:09 #5

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  ShiTmano

  aktív tag

  [GAAFET]

• #4 ShiTmano aktív tag szabi__memo #1

  Új Válasz 2021-07-01 21:54:54 #4

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  ShiTmano

  aktív tag

  válasz szabi__memo #1 üzenetére

  Volt egy cikk ahol azt írták, hogy GAAFETtel újra lehet érdemben csökkenteni a SRAM cellák méretét, míg FINFETnél már régóta alig, szinte csak a logika zsugorodik.

• #3 szabi__memo nagyúr Abu85 #2

  Új Válasz 2021-07-01 20:20:04 #3

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  szabi__memo

  nagyúr

  válasz Abu85 #2 üzenetére

  Gondoltam :( köszi a választ

• #2 Abu85 HÁZIGAZDA szabi__memo #1

  Új Válasz 2021-07-01 20:18:03 #2

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Abu85

  HÁZIGAZDA

  válasz szabi__memo #1 üzenetére

  3 nm körül már szinte minden paramétereben előnyt jelent a GAAFET. Szóval lenne különbség. De sosem fogjuk megtudni.

• #1 szabi__memo nagyúr

  Új Válasz 2021-07-01 18:47:23 #1

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  szabi__memo

  nagyúr

  Arról tudunk valamit, hogy egy Samsung 3nm finFet-hez képest a Samsung 3nm GAAFet milyen előnyöket jelent (ene ha létezne 3nm finFet)? Vagy mivel mindkét technológia száma marketing bullshit így semmit nem tudni?

Új hozzászólás Aktív témák