Új hozzászólás Aktív témák

• #59918 Kernel nagyúr Batman2 #59913

  Új Válasz 2017-07-31 10:02:38 #59918

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  

  Kernel

  nagyúr

  válasz Batman2 #59913 üzenetére

  Némi ellentmondást érzek, ha jól értem, szóban nem így írtad le:

  

  Itt az NPN megoldásnál a terhelés mehet nagyobb tápról, kimenet magas szinttel indít, bázist felhúzza, kollektor leül. FET is jó persze.

• #59917 tvamos nagyúr Batman2 #59913

  Új Válasz 2017-07-31 09:41:13 #59917

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  tvamos

  nagyúr

  válasz Batman2 #59913 üzenetére

  Igy kell bekotni a tranzisztorodat: [link]
  A 4-8 labra meg mehet mondjuk 8V egy 7808/78l08 stabon keresztul.

  (#59916) tordaitibi válasza tvamos (#59915) üzenetére
  Hogy a mikroszekundumos kapcsolasi ido miatt a gate kapacitas A nagysagrandu aramat korlatozza.
  Ezt hol olvastad?

• #59914 tordaitibi veterán Batman2 #59913

  Új Válasz 2017-07-31 06:09:09 #59914

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  tordaitibi

  veterán

  válasz Batman2 #59913 üzenetére

  Terhelés a + ágba, az és a test közé egy pl. BUZ11 fet, bázis, azaz gate ellenállás 100ohm körül.
  Ha a terhelés induktív is, egy szabadonfutó dióda, habár a fetek zömébe benne van.
  Vagy ezt a tranyót a fennti módon bekötni, bázisellenállás 1-2 kiloohm. Terhelés árama függő.
  Még pár tized voltot nyersz is a fettel, a tranyó 0,6V helyett 0,1-0,2V esik csak.

Új hozzászólás Aktív témák